حافظه HBM4E سامسونگ تست انویدیا را پاس کرد؛ ۳.۶ ترابایت بر ثانیه پهنای باند

سامسونگ ظاهرا یه مانع بزرگ دیگه رو تو رقابت HBM پشت سر گذاشته. طبق گزارشی که منتشر شده، حافظه نسل بعدی این شرکت یعنی HBM4E دوازده‌لایه، تست اعتبارسنجی (Qualification) رو هم پیش انویدیا و هم پیش چند هایپراسکیلر بزرگ دیگه با موفقیت رد کرده. با بنچفا تا پایان این مطلب همراه باشید.

سامسونگ چه مرحله‌ای را پشت سر گذاشته؟

طبق گزارش رسانه کره‌ای Hankyung، بخش حافظه سامسونگ تست اعتبارسنجی HBM4E با آرایش 12-Hi رو اواخر سپتامبر با انویدیا و چند مشتری بزرگ دیگه حوزه دیتاسنتر تکمیل کرده.

اعتبارسنجی یکی از مهم‌ترین مراحل قبل از اینه که یه محصول حافظه به سمت عرضه تجاری حرکت کنه. تو این مرحله مشتری بررسی می‌کنه که سخت‌افزار به مشخصات مورد نیازش از نظر عملکرد، قابلیت اطمینان، رفتار حرارتی و بقیه فاکتورها می‌رسه یا نه.

منتها یه تبصره مهم اینجا هست که نباید ازش رد شد. این گزارش فقط ادعا می‌کنه سامسونگ تست مشتری رو پاس کرده؛ حجم واقعی عرضه، ارزش قراردادها و زمان‌بندی تحویل در تولید انبوه هنوز تأیید نشده. خود سامسونگ هم حاضر نشده این گزارش رو تأیید کنه و به Hankyung گفته که نمی‌تونه تکمیل شدن اعتبارسنجی HBM4E رو تأیید کنه.

مشخصات فنی HBM4E دوازده‌لایه سامسونگ

سامسونگ از ماه می شروع به ارسال نمونه‌های HBM4E دوازده‌لایه به مشتری‌های بزرگ جهانی کرده بود. هر استک این چیپ ۴۸ گیگابایت ظرفیت داره، به صورت پایدار روی ۱۴ گیگابیت بر ثانیه به ازای هر پین کار می‌کنه و می‌تونه تا ۱۶ گیگابیت بر ثانیه هم مقیاس بگیره. نتیجه‌اش پهنای باندی تا ۳.۶ ترابایت بر ثانیه‌ست. سامسونگ میگه این یعنی بیش از ۲۰٪ افزایش عملکرد نسبت به نسل HBM4.

زیر کاپوت، HBM4E ترکیبیه از DRAM نسل ششم ۱c در کلاس ۱۰ نانومتر سامسونگ به همراه یه دای منطقی پایه ۴ نانومتری که توسط Samsung Foundry تولید میشه. این ساختار روی همون تکنولوژی‌های تولیدی بنا شده که قبلا تو محصولات HBM4 به کار رفته بود. سامسونگ قبلا اعلام کرده بود که این چیپ بهبودهایی تو بازدهی مصرف برق و مشخصات حرارتی هم داره؛ دو تا فاکتوری که با بالا رفتن مداوم نیاز شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی به پهنای باند و برق، هر روز مهم‌تر میشن.

مسیر تکامل حافظه HBM از نسل اول تا HBM4E

اگه این جدول رو از بالا به پایین نگاه کنید، یه نکته جالب می‌بینید: پهنای باند هر استک از حدود ۱۲۸ گیگابایت بر ثانیه در HBM1 به حدود ۳.۶ ترابایت بر ثانیه در HBM4E رسیده. یعنی چیزی حدود ۲۸ برابر تو یازده سال. جهش اصلی هم تو نسل HBM4 اتفاق افتاده، جایی که پهنای I/O از ۱۰۲۴ بیت به ۲۰۴۸ بیت دو برابر شد.

رقابت سامسونگ با SK hynix و Micron

سامسونگ مدتیه داره تهاجمی عمل می‌کنه تا جایگاهش رو در برابر SK hynix و Micron تو بازار HBM تقویت کنه. این شرکت اوایل امسال تولید انبوه HBM4 رو شروع کرد؛ حافظه‌ای که برای پلتفرم Vera Rubin انویدیا طراحی شده بود، و بلافاصله بعدش نمونه‌های HBM4E رو هم رونمایی کرد.

جمع‌بندی: این خبر چقدر مهمه؟

اگه گزارش اعتبارسنجی انویدیا درست باشه، سامسونگ یه نقطه عطف فنی مهم رو رد کرده. پهنای باند ۳.۶ ترابایت بر ثانیه به ازای هر استک و ظرفیت ۴۸ گیگابایتی، اعدادی هستن که مستقیما روی نسل بعدی شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی تأثیر می‌ذارن.

پاشنه آشیل ماجرا اما اینه که بین «تست رو پاس کردم» تا «قرارداد عرضه انبوه دارم» فاصله هست. سامسونگ خودش این گزارش رو تأیید نکرده، هیچ عدد قراردادی اعلام نشده و زمان‌بندی تولید انبوه هم مشخص نیست. سوال بعدی اینه که این موفقیت فنی تا چه حد به سفارش‌های واقعی HBM4E تبدیل میشه، اون هم وقتی انویدیا و بقیه مشتری‌های حوزه AI شروع به بالا بردن حجم تولید شتاب‌دهنده‌های نسل بعدی‌شون کنن.

ما تا وقتی اعلام رسمی و عدد قرارداد نبینیم، این خبر رو یه خبر خوب برای سامسونگ می‌دونیم و نه بیشتر.

نظر شما درباره رقابت سامسونگ و SK hynix تو بازار HBM چیه؟ تو کامنت‌ها بهمون بگید.